第三代半导体材料氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)，因拥有小尺寸、耐高温、耐高压等特性，将带动电源、工业、电动车等应用迈向下一个新时代，被动元件业者普遍看好，中高压、高容值被动元件需求可望跟进成长趋势，需求同步放大。

氮化镓应用包括5G 基地台与手机、电源、电动车等三大领域，碳化硅相较氮化镓，更耐高温、耐高压，较适合应用于严苛的环境，应用包括不断电系统、智慧电网、电源供应器等高功率应用领域。

 被动元件业者分析， 第三代半导体材料发展势必同步带动大功率被动元件需求，以氮化镓为例，由于氮化镓Mosfet 具有小巧、高效、发热低等特点，电源内部设计空间因此增加，原本尺寸小的电解电容及Disc 安规电容，皆将转换为大尺寸MLCC 。

 研调机构分析资料显示，氮化镓市场规模从今年到2022 年，年复合成长率(CAGR) 高达60%;碳化硅到2022 年的年复合成长率也高达40%，也可望带动大尺寸、高功率的被动元件需求随之增加。

 此外，目前不论苹果或是安卓系手机，都朝快充领域发展，业者认为，预计到2022 年，快充可望普及化，对中压高容的MLCC 需求大幅提升;另外，电动车充电则是特高压应用，两者都是未来趋势，相关被动元件厂也积极展开布局。

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