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HIB-C11N-200P2O4
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HIB-C11N-200P2O4

输入量程：200Arms
输出量程：0±4V
供电电压：±12-±15Vdc
精度：0.5%；安装方式:盘式安装
订购热线：010-89494921
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 产品展示

C11N_228x221

 主要参数
类型：
 霍尔闭环电流传感器
测量原理：
 霍尔闭环(磁平衡)原理
输入量程：
 200Arms
输出量程： ±4V
供电电压：
 ±12-±15Vdc
精度：
 0.5%
安装方式：
 盘式安装
开口形式：
 不开口
 产品图

C11N_228x221

 产品尺寸

C11N_Dimension_336x383


 说明书
 中文                                           HIB-C11N-200P2O4
 English                                                  
 相关描述

1.产品介绍

HIB-C11N系列

电流传感器是一种利用霍尔闭环（磁平衡）原理将被测电流转换成按比例跟随输出的电流或电压的测量模块，原副边之间高度绝缘。具有高精确度、高线性度、高集成度、体积小结构简单、长期工作稳定且适应各种工作环境的特点。广泛地应用在电力、石油、煤矿、化工、铁路、通信、楼宇自控等行业的电气设备的系统控制及检测。

★交流、直流、混合电流均可测量 ★响应时间快 ★φ20.5mm穿孔 ★高线性度 ★电压型输出

2.选型信息

型号定义：
 HIB-C11N-200P2O4
额定测量：
 200Arms
额定输出：
 ±4V
供电电源：
 ±12-±15Vdc

3.电参数

IPN
 额定测量电流值
 200

(Arms)
IP
 对应测量电流范围
 150% x Ipn

(Arms)
KN 原副边变换比率
 1:2000
ISN
 额定输出电压(Vrms)
 ±4V
X
 精度(Ta=+25°C)
 ≤0.5%
EL
 线性度误差
 ≤0.1%
VC
 电源电压(5%)
 DC±12~15V
Ioff
 失调电压Ta=+25℃
 ≤10mV
Tr
 响应时间
 ≤ 1uS
di/dt
 di/dt 跟随速度
 > 100A/uS
f
 频率范围
 DC-100K Hz
IC
 耗电
 20mA + Is
RL
 负载电阻

(@IpN,@ ±15V)
 ≤5KΩ
Rs 副边电阻
 25Ω
Rm
 内置取样电阻（0.1%精度）
 40Ω
Vd
 工频耐压
 6KV
Ri
 绝缘电阻@DC500V
 ＞200MΩ

4.常规参数：

Ta
 工作温度 -40 - +75 ℃
Ts
 贮存温度
 -45 - +85 ℃
W
 重量
 约50g
St
 执行标准
 EN50178
Hw
 工作湿度
 20-90% 无凝露

外壳材料
 符合UL94-V0

5. 结构图见说明书

6. 接线图见说明书

7. 输出曲线见说明书

电流传感器 开口式电流传感器 漏电电流传感器

采购：HIB-C11N-200P2O4

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